El PERTE Chip otorga fondos al proyecto DioSiC para crear alta tecnología de semiconductores 100% española
El proyecto DioSiC, un consorcio formado por las empresas españolas Hiperbaric, especializada en tecnologías de altas presiones; Nanoker, fabricante y proveedor español de productos cerámicos nanocompuestos avanzados; y Fagor Electrónica, especializada en soluciones electrónicas y de digitalización, permite investigar en el desarrollo de chips semiconductores cuya materia prima (SiC) será procesada mediante altas presiones isostáticas (del inglés Hot Isostatic Pressing, HIP) dentro del PERTE de Microelectrónica y Semiconductores, conocido como PERTE Chip.
Según la nota de prensa emitida, el proyecto se está desarrollando en colaboración con varios centros de investigación y empresas tecnológicas subcontratadas. El Gobierno español financia el 68% de los 3,3 millones de euros del proyecto de I+D, que forma parte de la convocatoria Misiones PERTE Chip, del Centro para el Desarrollo Tecnológico y la Innovación E.P.E. (CDTI). El proyecto DioSiC se enmarca en el Fortalecimiento de I+D+i en diseño microelectrónico de vanguardia y arquitecturas alternativas.
Su investigación permitirá la creación de un nuevo material de tecnología 100% española que no está todavía a nivel comercial en ningún lugar del mundo, con características únicas para el empleo en electrónica de alta potencia.
En concreto, se desarrollarán sustratos de carburo de silicio (SiC) policristalinos que serán sometidos a alta presión isostática (HIP), del orden de 2.000 bares de presión y 2.000ºC de temperatura- para obtener chips de SiC robustos y sin defectos. Los nuevos chips semiconductores permitirán reducir un 30% los costes de producción de componentes de alta potencia, mejorando en un 35% su eficacia, lo que hará económicamente viable su producción.
Sus aplicaciones están dirigidas a sectores como el industrial con la fabricación de vehículos eléctricos; el energético para el campo de las renovables, o los sectores informáticos y de comunicaciones, entre otros. «Tenemos frente a nosotros un desafío científico y tecnológico de gran magnitud que nos va a permitir desarrollar por primera vez a nivel internacional componentes electrónicos de alta potencia más eficientes y económicos», ha explicado Andrés Hernando, consejero delegado de Hiperbaric.
El objetivo principal del proyecto busca superar las limitaciones actuales del uso del carburo de silicio con la fabricación de sustratos de silicio policristalino, fabricado mediante la técnica SPS (Spark Plasma Sintering), con el posterior tratamiento de alta presión isostática para garantizar que España sea capaz de producir estos novedosos chips con plazos y costes razonables, que hagan posible cubrir la demanda de un mercado creciente y evitar la dependencia tecnológica de terceros países. El tratamiento de carburo de silicio (SiC) mediante tecnología HIP mejora notablemente sus propiedades al eliminar cualquier posible defecto en obleas de SiC policristalinas.
En palabras de Ramón Torrecillas, consejero delegado de Nanoker, «somos de las pocas empresas europeas en controlar la tecnología SPS para fabricar el material base de los chips. Colaboramos con Hiperbaric para proponer ese nuevo material que requiere de la tecnología HIP para alcanzar la calidad necesaria para la próxima generación de chips de altas prestaciones de Fagor Electrónica».
El proyecto DioSiC, con un presupuesto asignado de 3,3 millones de euros, forma parte del proyecto Estratégico para la Recuperación y Transformación Económica (PERTE) de Microelectrónica y Semiconductores, PERTE Chip aprobado en 2022 y dotado de una inversión pública de 12.250 millones hasta 2027. El dinero está destinado a crear fábricas de microchip e impulsar toda la cadena de valor, desde las pymes y startups tecnológicas a la industria de la electrónica que consume esos semiconductores.
